분리된 반도체 1uF 로직 IC SC-63

제품 설명:

디스크리트 반도체는 1W에서 30W까지 다양한 전력 등급으로 제공되는 전력 장치의 일종입니다. 0.1uF, 0.2uF, 0.47uF, 1uF, 2.2uF, 4.7uF, 10uF,22uF, 47uF 및 100uF. 또한 BJT, MOSFET, IGBT 및 JFET를 포함한 광범위한 트랜지스터를 보유하고 있습니다. TO-220, TO-263, SOT-223, SOT-89, SOT-23와 같은 여러 유형의 패키지가 있습니다.DIP또한, 디스크리트 반도체는 TO-252-3, V20PWM10CHM3/I, 수정기, 그리고 특정 애플리케이션을 위한 바리스터를 제공합니다.낮은 전력 소비, 또는 작은 크기의, 비공개 반도체는 당신을위한 완벽한 솔루션을 가지고 있습니다.

특징:

• 제품명: 디스크리트 반도체
• 트랜지스터: BJT, MOSFET, IGBT, JFET
• 저항: 1Ω, 2Ω, 5Ω, 10Ω, 20Ω, 50Ω, 100Ω, 200Ω
• 통합 회로: 논리, 증폭기, 비교기, 타이머, 전압 조절기
• 용량: 0.1uF, 0.2uF, 0.47uF, 1uF, 2.2uF, 4.7uF, 10uF, 22uF, 47uF, 100uF
• 온도: -40°C ~ +85°C
• 다이오드: V20PWM10CHM3/I, 다이오드 배열
• 전압 조절기
• 전력 MOSFET

기술 매개 변수:

응용 프로그램:

비샤이의 V20PWM10CHM3 / I 디스크리트 반도체는 미국에서 설계 및 제조됩니다. 1Ω에서 200Ω까지 광범위한 저항과 0.1uF에서 100uF까지 용량을 갖추고 있습니다.반도체 유형은 분리 반도체입니다., 그리고 BJT, MOSFET, IGBT, JFET 트랜지스터로 제공됩니다. 또한 TO-220, TO-263, SOT-223, SOT-89, SOT-23, DIP 및 SMD를 포함한 여러 패키지로 제공됩니다.

이 분별 반도체는 직렬기, 1 쌍 일반 카토드, 쇼트키, 제너 다이오드 등의 응용 프로그램에 이상적입니다. 또한 트랜지스터, MOSFET, IGBT,다양한 애플리케이션을 위한 JFET그 폭 넓은 저항과 용량으로 인해 다양한 응용 분야에 다재다능하고 신뢰할 수있는 옵션이됩니다.그 다양한 패키지는 구멍과 표면 장착 용도에 적합합니다..

비샤이의 V20PWM10CHM3/I 디스크리트 반도체는 뛰어난 성능과 신뢰성을 제공합니다.그것은 신뢰할 수 있고 고성능의 분리 반도체 구성 요소가 필요한 응용 프로그램에 이상적입니다그것은 또한 저항과 용량의 광범위한 범위가 필요한 응용 프로그램에 대한 훌륭한 선택입니다.

사용자 정의:

비샤이 (Vishay) 는 미국 출신의 모델 번호 V20PWM10CHM3 / I와 함께 분리 반도체 제품에 대한 맞춤 솔루션을 제공합니다. 우리의 제품에는 Schottky, 다이오드 배열, Schottky 다이오드,제너 다이오드, 빠른 복구 다이오드, 수정 다이오드, TVS 다이오드 다양한 인덕턴스, 전압, 전력 및 저항 옵션. 우리의 인덕턴스 범위는 1mH, 2mH, 5mH, 10mH, 20mH, 50mH, 100mH,그리고 200mH. 우리의 전압 범위는 3.3V, 5V, 12V, 24V, 48V를 포함한다. 우리의 전력 범위는 1W, 2W, 3W, 5W, 10W, 15W, 20W, 30W를 포함한다. 우리의 저항 범위는 1Ω, 2Ω, 5Ω, 10Ω, 20Ω, 50Ω, 100Ω, 200Ω를 포함한다.

포장 및 운송:

분리 반도체는 민감한 구성 요소이기 때문에 운송할 때 적절한 포장 및 운송 재료를 사용하는 것이 중요합니다.우리는 반 정적 가방과 같은 ESD 안전 물질을 사용하는 것이 좋습니다., 그리고 반도체를 거품 랩 또는 폼으로 포장합니다. 이것은 전기 정전 충전 (ESD) 로부터 구성 요소를 보호합니다.

또한 패키지는 "Fragile" 스티커를 붙여서 발송자에게 내용물이 섬세하다는 사실을 알려야 합니다.패키지는 단단히 밀폐되어 "이쪽 위쪽" 라벨이 붙어 있어야 합니다.이것은 패키지가 올바르게 처리되고 운송 중에 손상되지 않도록하는 데 도움이 될 것입니다.