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MMUN2233LT1G 프리 편향된 NPN 바이폴라 트랜지스터 50V 100 마 246mW SOT-23-3
| 원래 장소 | 미국 |
|---|---|
| 브랜드 이름 | onsemi |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | MMUN2233LT1G |
| 최소 주문 수량 | 3000 |
| 가격 | enquiry |
| 포장 세부 사항 | 테이프 |
| 배달 시간 | 5-8 작업 일수 |
| 지불 조건 | 전신환 |
| 공급 능력 | 50000 |
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x제품 상세 정보
| 모델 | MMUN2233LT1G | 트랜지스터형 | NPN - 미리 바이어싱시킨 |
|---|---|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스) | 100 마 | 전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스) | 50 Ｖ |
| 경향 - 집전기 절단 (맥스) | 500nA | 전원 - 맥스 | 246 mW |
| 증가하는 타입 | 표면 부착 | ||
| 강조하다 | 프리 편향된 바이폴라 트랜지스터,MMUN2233LT1G 바이폴라 트랜지스터,50V NPN 바이폴라 트랜지스터 |
||
제품 설명
MMUN2233LT1G사전 편향된 양극 트랜지스터 (BJT) NPN - 사전 편향된 50 V 100 mA 246 mW 표면 마운트 SOT-23-3 (TO-236)
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분류
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디스크리트 반도체 제품
트랜지스터
양극성 (BJT)
단일, 사전 편향된 양극 트랜지스터
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Mfr
|
반
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시리즈
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-
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제품 상태
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액티브
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트랜지스터 유형
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NPN - 미리 편향된
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전류 - 수집기 (Ic) (최대)
|
100mA
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전압 - 컬렉터 발사자 분해 (최대)
|
50V
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레지스터 - 베이스 (R1)
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40.7kΩm
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레지스터 - 발산기 기본 (R2)
|
47 kOhms
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DC 전류 증가 (hFE) (분) @ Ic, Vce
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80 @ 5mA, 10V
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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic
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250mV @ 300μA, 10mA
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전류 - 컬렉터 절단 (최대)
|
500nA
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전력 - 최대
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246mW
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장착형
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표면 마운트
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패키지 / 케이스
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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공급자의 장치 패키지
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SOT-23-3 (TO-236)
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오리지널
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