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DS1270Y-70 플래쉬 메모리 IC 비휘발성 SRAM IC 16Mb 70 나노 초
| 원래 장소 | 미국 |
|---|---|
| 브랜드 이름 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
| 인증 | RoHS |
| 모델 번호 | DS1270Y-70# |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | negotiations |
| 포장 세부 사항 | 튜브 |
| 배달 시간 | 5-10 근무일 |
| 지불 조건 | 전신환 |
| 공급 능력 | 10 |
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x제품 상세 정보
| 모델 | DS1270Y-70# | 기술 | NVSRAM (비휘발성 SRAM) |
|---|---|---|---|
| 메모리 용량 | 16Mb (2M x 8) | 엑세스 시간 | 70 나노 초 |
| 제품 상태 | 활동가 | 작동 온도 | -40' Ｃ ~ 85' Ｃ |
| 증가하는 타입 | 표면 부착 | 애플리케이션 | 자동차 |
| 하이 라이트 | DS1270Y-70 플래쉬 메모리 IC,DS1270Y-70 SRAM IC,비휘발성 SRAM IC 16Mb 70 나노 초 |
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제품 설명
DS1270Y-70# NVSRAM (논-볼아타일 SRAM) 메모리용 IC 16Mb (2M X 8)는 70 나노 초를 평행시킵니다
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엠에프르
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아날로그 디바이스주 Inc./Maxim은 통합되었습니다
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시리즈
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-
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제품 상태
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활동가
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기억 영역형
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비휘발성입니다
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메모리 포맷
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NVSRAM
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기술
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NVSRAM (비휘발성 SRAM)
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메모리 용량
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16Mb (2M x 8)
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기억기접합
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대비
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페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다
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70 나노 초
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엑세스 시간
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70 나노 초
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전압 - 공급
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4.5V ~ 5.5V
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작동 온도
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0' Ｃ ~ 70' Ｃ (TA)
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증가하는 타입
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관통 홀
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패키지 / 건
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36 하락 모듈 (0.610 ", 15.49 밀리미터)
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공급자 소자 패키지
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36-EDIP
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원형
우리의 회사는 제품의 각각 뱃치가 원래 공장에서 발생한다는 것을 보증하고, 원본 라벨과 전문적 검사 기관 보고서를 제공할 수 있습니다.
프라이스
우리는 협상 뒤에 다양한 인용 채널을 제공하고, 명령 계약을 맺습니다.
거래
통신과 합의 뒤에, 우리는 지불을 배열하기 위해 당신을 안내할 것입니다.
배달 주기
같은 날에 배달이 5-12 근무일 일반적으로 조금 유행 동안 연기될 수 있습니다, 우리가 전체 과정을 뒤따를 것입니다.
수송
우리는 당신의 국가에 따라 적절한 운송 모드를 선택할 것입니다.
패키징
당신과의 통신 뒤에, 우리는 안전한 현물 인도를 보증하기 위해 중량의 상품에 따라 적절한 패키징 방법을 선택할 것입니다.
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