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DS1270AB-100 플래쉬 메모리 IC NVSRAM 16 밀리바는 IC 대비 100 Ns 36 EDIP을 번쩍입니다

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x제품 상세 정보
모델 | DS1270AB-100# | 메모리 유형 | 비휘발성입니다 |
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메모리 용량 | 16Mb (2M x 8) | 전압 - 공급 | 4.75V ~ 5.25V |
제품 상태 | 활동가 | 작동 온도 | -40' C ~ 85' C |
증가하는 타입 | 표면 부착 | 애플리케이션 | 자동차 |
하이 라이트 | DS1270AB-100 플래쉬 메모리 IC,순간 메모리용 IC NVSRAM,NVSRAM 16 밀리바 순간 IC |
제품 설명
DS1270AB-100# NVSRAM (비휘발성 SRAM) 메모리용 IC 16Mb는 100 Ns 36-edip을 평행시킵니다
특징
외부 전원이 없을 경우 5년 최소 데이터 보유
데이터는 자동적으로 전력 손실 동안 보호받습니다
제한 없는 기입 사이클
저전력 CMOS 작동
70 나노 초의 엑세스 시간을 읽고 작성하세요
리튬 에너지 원은 전력이 처음으로 적용될 때까지 신선미를 보유하기 위해 전기적으로 끊어집니다
매우 ±10% VCC 동작 범위 (DS1270Y)
옵션널 ±5% VCC 동작 범위 (DS1270AB)
-40' C에서 +85' C의 선택적 산업용 온드범위가 IND로 지정했습니다
엠에프르
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아날로그 디바이스주 Inc./Maxim은 통합되었습니다
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시리즈
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-
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제품 상태
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활동가
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기억 영역형
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비휘발성입니다
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메모리 포맷
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NVSRAM
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기술
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NVSRAM (비휘발성 SRAM)
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메모리 용량
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16Mb (2M x 8)
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기억기접합
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대비
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페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다
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100 나노 초
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엑세스 시간
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100 나노 초
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전압 - 공급
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4.75V ~ 5.25V
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작동 온도
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0' C ~ 70' C (TA)
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증가하는 타입
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관통 홀
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패키지 / 건
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36 하락 모듈 (0.610 ", 15.49 밀리미터)
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공급자 소자 패키지
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36-EDIP
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원형
우리의 회사는 제품의 각각 뱃치가 원래 공장에서 발생한다는 것을 보증하고, 원본 라벨과 전문적 검사 기관 보고서를 제공할 수 있습니다.
프라이스
우리는 협상 뒤에 다양한 인용 채널을 제공하고, 명령 계약을 맺습니다.
거래
통신과 합의 뒤에, 우리는 지불을 배열하기 위해 당신을 안내할 것입니다.
배달 주기
같은 날에 배달이 5-12 근무일 일반적으로 조금 유행 동안 연기될 수 있습니다, 우리가 전체 과정을 뒤따를 것입니다.
수송
우리는 당신의 국가에 따라 적절한 운송 모드를 선택할 것입니다.
패키징
당신과의 통신 뒤에, 우리는 안전한 현물 인도를 보증하기 위해 중량의 상품에 따라 적절한 패키징 방법을 선택할 것입니다.
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