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홀 TO-220AB을 통한 p 채널 IRF9540NPBF 회로칩 100 Ｖ 23A (Tc) 140W (Tc)
| 원래 장소 | 미국 |
|---|---|
| 브랜드 이름 | Infineon Technologies |
| 인증 | RoHS |
| 모델 번호 | IRF9540NPBF |
| 최소 주문 수량 | 1000 |
| 가격 | negotiate |
| 포장 세부 사항 | 튜브 |
| 배달 시간 | 5-8 작업 일수 |
| 지불 조건 | 전신환 |
| 공급 능력 | 2000 |
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x제품 상세 정보
| 상품 이름 | IRF9540NPBF | Vgs(일)(최대) Id | 4V 250µA |
|---|---|---|---|
| 게이트 전하(Qg)(최대) Vgs | 97nC 10V | Vgs(최대) | ±20V |
| Rds On(최대) Id, Vgs | 117m옴 11A, 10V | 공급자 장치 패키지 | TO-220AB |
| 하이 라이트 | p 채널 IRF9540NPBF,홀을 통한 IRF9540NPBF,회로칩 100 Ｖ TO-220AB |
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제품 설명
홀 TO-220AB을 통한 IRF9540NPBF P-채널 100 Ｖ 23A (Tc) 140W (Tc)
인테마내셔널 레크티파이우틸아이즈로부터의 5세대 HEXFETS는 실리콘 면적마다 처리 기법을 어치브엑스트레메리 낮은 온 저항으로 올렸습니다. HEXFET 파워모스페트스가 잘 알려지는 고속 스위칭 속도 안드러그게디즈드 기기 디자인에 결합된 티스베네피트가 적용의 넓은 허영심을 우세인 디자인러위스에게 극단적으로 효율적이고 믿을 만한 장치를 제공합니다.
TO-220 패키지는 보편적으로 대략 50 와트에 서방 디스시프이션레벨스에 올컴메르쿠셜인더스리얼 적용에 적합합니다. 테인더스트리를 통한 그것의 광역 수용에 대한 TO-220contribute의 낮은 테르말리지스턴스와 낮은 패키지 비용.
IRF9540NPBF의 상술
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엠에프르
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인피니언 테크놀러지
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시리즈
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HEXFET
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제품 상태
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활동가
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FET은 타이핑합니다
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P-채널
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기술
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MOSFET (금속 산화물)
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소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요
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100 Ｖ
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경향 - 연속배수 (Id) 25' Ｃ
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23A (Tc)
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구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다)
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10V
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(맥스) Id 위의 Rds, 브그스
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117mOhm 11A, 10V
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Vgs(th) (맥스) Id
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4V 250uA
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게이트전하 (큐그)은 브그스를 (최대한으로 씁니다)
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97 nC 10 Ｖ
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브그스 (맥스)
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±20V
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입력 커패시턴스 (CIS)는 Vds를 (최대한으로 씁니다)
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1300 pF 25 Ｖ
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FET 특징
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-
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전력 소모 (맥스)
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140W (Tc)
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작동 온도
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-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
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증가하는 타입
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관통 홀
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공급자 소자 패키지
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TO-220AB
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패키지 / 건
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TO-220-3
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원형
우리의 회사는 제품의 각각 뱃치가 원래 공장에서 발생한다는 것을 보증하고, 원본 라벨과 전문적 검사 기관 보고서를 제공할 수 있습니다.
프라이스
우리는 협상 뒤에 다양한 인용 채널을 제공하고, 명령 계약을 맺습니다.
거래
통신과 합의 뒤에, 우리는 지불을 배열하기 위해 당신을 안내할 것입니다.
배달 주기
같은 날에 배달이 5-12 근무일 일반적으로 조금 유행 동안 연기될 수 있습니다, 우리가 전체 과정을 뒤따를 것입니다.
수송
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