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중국 신뢰성 높은 166 MHz 데이터 저장 2Gb 고속 처리용 통합 회로 메모리

신뢰성 높은 166 MHz 데이터 저장 2Gb 고속 처리용 통합 회로 메모리

Voltage: 1.7V ~ 2V
Access Time: Non-Volatile
Type: Integrated Circuit Storage
중국 효율적인 저장을 위해 166 MHz의 고속 데이터 저장 통합 회로 메모리

효율적인 저장을 위해 166 MHz의 고속 데이터 저장 통합 회로 메모리

Data Transfer Rate: 1.8ms
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C（TA）
중국 안정적이고 효율적인 통합 회로 메모리 2GB 용량 1.8ms 데이터 전송 속도

안정적이고 효율적인 통합 회로 메모리 2GB 용량 1.8ms 데이터 전송 속도

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C（TA）
Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Retention: 166 MHz
중국 장시간 데이터 저장장치 166MHz의 내구성 통합 회로 메모리

장시간 데이터 저장장치 166MHz의 내구성 통합 회로 메모리

Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C（TA）
중국 신뢰성 있고 효율적인 데이터 저장을 위한 2GB 통합 회로 메모리

신뢰성 있고 효율적인 데이터 저장을 위한 2GB 통합 회로 메모리

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C（TA）
Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
중국 데이터 보유 166 MHz 저장 기능을 갖춘 통합 회로 메모리

데이터 보유 166 MHz 저장 기능을 갖춘 통합 회로 메모리

Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C（TA）
중국 고성능 통합 회로 메모리, 휘발성 없는 데이터 저장장치 166 MHz

고성능 통합 회로 메모리, 휘발성 없는 데이터 저장장치 166 MHz

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Transfer Rate: 1.8ms
중국 166 MHz 데이터 저장 성능 향상을 위한 통합 회로 메모리

166 MHz 데이터 저장 성능 향상을 위한 통합 회로 메모리

Access Time: Non-Volatile
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C（TA）
Type: Integrated Circuit Storage
중국 까다로운 작업용 고성능 통합 회로 메모리

까다로운 작업용 고성능 통합 회로 메모리

Data Retention: 166 MHz
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C（TA）
Voltage: 1.7V ~ 2V
중국 콤팩트 융합 회로 메모리 1.7V - 2V 전압 166 MHz 데이터 저장

콤팩트 융합 회로 메모리 1.7V - 2V 전압 166 MHz 데이터 저장

Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
Type: Integrated Circuit Storage
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