효율적인 통합 회로 20 년 데이터 저장 - 최소 공급 전압 2.7V

제품 설명:

플래시 메모리 IC는 고성능, 저전력 통합 칩으로 비휘발성 메모리에서 데이터를 저장하고 유지하도록 설계되었습니다. 전압 공급 범위는 2.7V에서 3.6V, SOIC-8 패키지,50μs의 기록주기 시간이 고속, 고 용량 칩은 데이터 저장, 코드 저장 및 임베디드 시스템과 같은 애플리케이션에 이상적인 솔루션입니다.비휘발성 기억으로, 플래시 메모리 IC는 오랜 기간 동안 신뢰할 수있는 저장 및 데이터 보유를 제공하여 산업 및 소비자 응용 프로그램에 이상적입니다.그것은 또한 마이크로 컨트롤러와 다른 디지털 장치의 광범위한 호환, 임베디드 시스템에 적합한 선택으로. 높은 성능, 낮은 전력, 다재다능한 디자인으로, 플래시 메모리 IC는 모든 데이터 저장 필요에 대한 완벽한 칩입니다.

특징:

• 칩: 플래시 메모리 IC
• 통합 회로: 플래시 메모리 IC
• 기록 주기 시간 - 단어: 50μs
• 제품 종류: 플래시 메모리 IC
• 포장: 롤
• 메모리 용량: 4Mbit
• 메모리 타입: NOR 플래시

기술 매개 변수:

응용 프로그램:

실리콘 랩스의 플래시 메모리 IC는 디지털 정보를 저장하고 빠르게 검색하도록 설계된 칩이다. 제품 모델 번호는 EFR32FG28B312F1024IM68-A,미국에서 만들어졌으며 ROHS 표준으로 인증되었습니다.최소 주문 양은 1개이고 가격은 1개이며 테이프 & 롤 (TR) 의 포장 세부 사항이 있습니다. 배달 시간은 1-2주이며 지불 조건은 T/T입니다. 공급 능력은 10000pcs/day입니다.50μs의 기록 주기 시간 - 페이지메모리 유형은 NOR 플래시이며, 전압 공급은 2.7V ~ 3.6V이며 데이터 저장 시간은 20년입니다.이 신뢰할 수있는 제품 유형은 높은 속도와 낮은 전력 소모를 요구하는 응용 프로그램에 이상적입니다..

포장 및 운송:

플래시 메모리 IC의 포장 및 운송:

플래시 메모리 IC는 안전한 배달을 보장하기 위해 ESD에 적합 한 재료에 안전하게 포장됩니다. 가능한 정적 손상으로부터 보호하기 위해 반 정적 가방 또는 상자에 배송됩니다.패키지는 또한 필수 제품 정보를 나열하는 라벨 및/또는 포장 칩을 포함합니다.- 패키지는 추적 번호가 함께 배송됩니다.

FAQ:

A1: 플래시 메모리 IC는 디지털 데이터의 저장 및 검색을 위해 사용되는 비휘발성 고체 메모리 장치입니다. 데이터 저장, 임베디드 시스템,소비자 전자제품.

A2: 플래시 메모리 IC의 브랜드 이름은 실리콘 랩스입니다.

A3: 플래시 메모리 IC의 모델 번호는 EFR32FG28B312F1024IM68-A입니다.

A4: 플래시 메모리 IC는 미국에서 만들어집니다.

A5: 네, 플래시 메모리 IC는 ROHS 인증이 있습니다.