플래시 메모리 IC 512K X 8 작동 온도-40°C ~ 85°C

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x패키지 / 건 | SOIC-8 | 쓰기 주기 시간 - 페이지 | 50µs |
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전압 - 공급 | 2.7 V ~ 3.6 V | 데이터 유지 | 20년 |
속도 | 50 나노 초 | 패키징 | 릴 |
쓰기 주기 시간 - 단어 | 50µs | 메모리구성 | 512K X 8 |
제품 설명:
플래시 메모리 IC는 고밀도 비휘발성 저장 솔루션을 제공하는 통합 회로 칩으로 IC로도 알려져 있습니다. 그것은 임베디드 시스템,휴대폰이 플래시 메모리 IC는 표면 장착 기술을 위해 특별히 설계되었습니다.극한 온도 조건에서 우수한 성능과 신뢰할 수 있는 작동을 제공합니다.이 칩은 또한 SOIC-8을 포함하여 다양한 패키지 및 케이스 옵션을 갖추고 있으며, 이 칩은 최대 공급 전압 3.6 V로 신뢰할 수있는 작동을 제공합니다.임베디드 시스템 애플리케이션을 위한 훌륭한 선택.
특징:
- 제품명: 플래시 메모리 IC (종합회로 칩)
- 기록 주기 시간 - 페이지: 50μs
- 작동 온도: -40°C ~ 85°C
- 데이터 보관 기간: 20년
- 공급 전압 - 최대 3.6V
- 포장: 롤
기술 매개 변수:
매개 변수 | 가치 |
---|---|
융합 회로 | 플래시 메모리 IC |
칩 | NOR 플래시 |
패키지 / 케이스 | SOIC-8 |
기억 조직 | 512K X 8 |
공급 전압 - 분 | 2.7V |
공급 전압 - 최대 | 3.6V |
데이터 보존 | 20 년 |
주기 시간 - Word | 50μs |
속도 | 50n |
포장 | 릴 |
응용 프로그램:
마이크로 칩 MXT641TD-ATR 플래시 메모리 IC는 마이크로 칩의 브랜드 이름, MXT641TD-ATR의 모델 번호, 미국 출처, ROHS 인증,최소 주문량 1개, 경쟁력 있는 가격, 테이프 & 롤 (TR) 포장, 1-2 주 배달 시간, T / T 지불 조건, 10000pcs / 일 공급 능력, 플래시 메모리 IC 제품 유형, 20 년의 데이터 보존, 50ns의 속도,공급 전압 2.7V 및 표면 마운트 장착형
마이크로칩 MXT641TD-ATR 플래시 메모리 IC는 다양한 산업 및 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 디지털 카메라, 스마트 폰 및 태블릿과 같은 소비자 전자제품에 사용할 수 있습니다.산업 자동화또한 데이터 로깅, 코드 저장 및 의료 장치와 같은 임베디드 응용 프로그램에도 사용할 수 있습니다.
마이크로칩 MXT641TD-ATR 플래시 메모리 IC는 신뢰할 수 있으며 장기적인 성능을 위해 설계되었습니다. 또한 프로그래밍 및 지우기 쉽고 낮은 전력 소모를 필요로하며 매우 비용 효율적입니다.
마이크로칩 MXT641TD-ATR 플래시 메모리 IC는 고속, 넓은 온도 범위, 넓은 전압 범위 및 높은 내구성을 제공합니다.그것은 또한 소프트웨어 및 하드웨어 쓰기 보호와 같은 고급 기능을 제공합니다, 하드웨어 리셋, 내장 ECC.
마이크로 칩 MXT641TD-ATR 플래시 메모리 IC는 신뢰할 수 있고 오래 지속되는 데이터 저장 장치가 필요한 응용 프로그램에 완벽한 선택입니다.저전력, 그리고 비용 효율성.
포장 및 운송:
플래시 메모리 IC의 포장 및 운송:
- 플래시 메모리 IC는 ESD를 준수하는 재료로 포장됩니다.
- 패키지는 제품 이름과 모델 번호가 표시되어야 합니다.
- 패키지는 손상을 방지하기 위해 조심스럽게 다루어야 합니다.
- 패키지는 안전한 컨테이너에서 운송되어야 합니다.
- 컨테이너에는 제품 이름, 모델 번호 및 배송 주소가 표시되어야 합니다.
- 배송 방법은 주문의 긴급성에 따라 선택되어야 합니다.