CY62167EV30LL-45BVXI 집적 회로 IC 비동시성 메모리 IC 16Mbit

원래 장소	미국
브랜드 이름	Infineon Technologies
인증	RoHS
모델 번호	CY62167EV30LL-45BVXI
최소 주문 수량	10
가격	negotiable
포장 세부 사항	쟁반
배달 시간	5-8 작업 일수
지불 조건	전신환
공급 능력	2000

제품 상세 정보

CY62167EV30LL-45BVXI

SRAM - 비동시적입니다

메모리 용량

16Mbit

전압 - 공급

2.2V ~ 3.6V

CY62167EV30LL-45BVXI 집적 회로 IC

CY62167EV30LL-45BVXI 메모리용 IC

비동시적 메모리용 IC 16Mbit

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제품 설명

CY62167EV30LL-45BVXI 비동시성 메모리 IC 16Mbit 대비 45 Ns 48-vfbga (6x8)

CY62167EV30은 8비트의 16개 비트 또는 2M 말까지 1M 말로 구성된 고성능 CMOS 스태틱 램입니다. 이 장치는 극저 유효 전류를 제공하는 진보적 회로 설계를 특징으로 합니다. 극저 유효 전류는 휴대폰과 같은 휴대용 애플리케이션에서 더 많은 배터리 수명 (MoBL®)을 제공해서 이상적입니다. 기기는 또한 연설이 토글링하고 있지 않을 때 99 퍼센트까지 소비 전력을 줄이는 자동 전원을 내림 기능을 가지고 있습니다. 제외되 (CE1 높은 것 또는 CE2 최저 또는 양쪽 BHE와 BLE이 높은 것입니다) 때 장치를 대기 모드에 위치시키세요. 입력과 출력 핀은 (나 / O0 에서 I / O15) 고-임피던스 상태에 위치합니다 안에 다음과 같은 경우 : 장치는 선택해제됩니다 (CE1 최고 또는 CE2 최저), 출력이 무력하게 됩니다 (높이 실행과 바이트 최저가 가능하게 하는 둘다 바이트인 OE 최고가) 무력하게 되 (BHE, BLE 최고) 또는 기록 작업이 진행 중에 CE2 최고와 WE 최저인 (CE1 최저입니다).

범주	집적 회로 (ICs) 메모리 메모리
엠에프르	인피니언 테크놀러지
시리즈	MoBL®
제품 상태	활동가
기억 영역형	휘발성 물질
메모리 포맷	SRAM
기술	SRAM - 비동시적입니다
메모리 용량	16Mbit
메모리구성	2M Ｘ 8, 1M Ｘ 16
기억기접합	대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다	45 나노 초
엑세스 시간	45 나노 초
전압 - 공급	2.2V ~ 3.6V
작동 온도	-40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TA)
증가하는 타입	표면 부착
패키지 / 건	48-vfbga
공급자 소자 패키지	48-vfbga (6x8)

원형

우리의 회사는 제품의 각각 뱃치가 원래 공장에서 발생한다는 것을 보증하고, 원본 라벨과 전문적 검사 기관 보고서를 제공할 수 있습니다.

프라이스

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거래

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