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DMN4800LSSQ-13 엔-채널 30 V 8.6A (Ta) 1.46W (Ta) 표면 부착 8-SO

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x제품 상세 정보
모델 | DMN4800LSSQ-13 | 드레인-소스 전압(Vdss) | 30V |
---|---|---|---|
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.6A(타) | 드라이브 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) | 4.5V, 10V |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 9A, 10V | 전력 손실(최대) | 1.46W(타) |
제품 설명
DMN4800LSSQ-13 엔-채널 30 V 8.6A (Ta) 1.46W (Ta) 표면 부착 8-SO
기술
이 MOSFET은 온-상태 저항 (RDS(ON))를 최소화하도록 설계됩니다 그리고 아직 그것을 효율이 높은 전력 관리 어플리케이션에 이상적이게 하면서, 뛰어난 접속품질을 유지하세요.
애플리케이션
배경 조명
전력 관리 기능
직류-직류 변환기
특징
낮은 온 저항
저입력 캐패시턴스
고속 스위칭 속도
낮은 입출력 누출
완전히 무연 & 완전히 순응한 로에스
자유로운 할로겐과 안티몬. 녹색 장치
높은 신뢰도에 대하여 표준인 AEC-Q101에 자격을 얻습니다
유능한 PPAP
기계적 데이터
경우 : SO-8
케이스 소재 : 플라스틱 성형, 녹색 몰딩 화합물. 94V-0을 평가하는 UL 인화성 분류
습기 민감성 : J-STD-020 당 레벨 1
단말기 연결 : 다이어그램을 보세요
단말기 : 끝나고 - 매트 주석은 구리 리드프레임 위에서 단련했습니다. MIL-STD-202마다 솔더링 가능하, 방법 208
중량 : (대략적인) 0.072g
범주
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분리된 반도체 제품
트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다
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엠에프르
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다이오드는 결합했습니다
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시리즈
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자동차, AEC-Q101
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FET은 타이핑합니다
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엔-채널
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기술
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MOSFET (금속 산화물)
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소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요
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30 V
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경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id)
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8.6A (Ta)
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구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다)
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4.5V, 10V
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Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds
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9A, 10V에 있는 14mOhm
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Id에 있는 Vgs(th) (맥스)
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250uA에 있는 1.6V
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게이트는 (큐그에게) 브그스에 있는 (맥스)를 청구합니다
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8.7 5 V에 있는 nC
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브그스 (맥스)
|
±25V
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Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스)
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10 V에 있는 798 pF
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FET 특징
|
-
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전력 소모 (맥스)
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1.46W (Ta)
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작동 온도
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-55' C ~ 150' C (TJ)
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증가하는 타입
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표면 부착
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공급자 소자 패키지
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8-SO
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패키지 / 건
|
8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭)
|
원형
우리의 회사는 제품의 각각 뱃치가 원래 공장에서 발생한다는 것을 보증하고, 원본 라벨과 전문적 검사 기관 보고서를 제공할 수 있습니다.
프라이스
우리는 협상 뒤에 다양한 인용 채널을 제공하고, 명령 계약을 맺습니다.
거래
통신과 합의 뒤에, 우리는 지불을 배열하기 위해 당신을 안내할 것입니다.
배달 주기
같은 날에 배달이 5-12 근무일 일반적으로 조금 유행 동안 연기될 수 있습니다, 우리가 전체 과정을 뒤따를 것입니다.
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패키징
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