채널 듀얼 극성 아날로그 빔포머가 가능하게 한 새로운 MMW9012K와 MMW9014K 4는 시스템 신뢰성을 향상시키는 5G mmWave를 위한 빔 스티어링에서 정밀을 진보시켰습니다.
NXP®세미컨덕터스는 새로운 MMW9012K와 MMW9014K 4의 추가가 안테나 시스템 개발자 키트와 더불어, 그것의 5G 포트폴리오에 듀얼 극성 아날로그 빔포머를 보낸다고 발표했습니다. NXP의 실리콘 게르마늄을 사용하여 개발된 채 (SiGe) 과정, 5G 신뢰성을 향상시키고 돕기 위한 고도의 통합을 제공하기 위한 아날로그 빔포머 지지 이중-편파는 5G 기지국 크기와 비용을 줄이는 것뿐만 아니라, 5G mmWave 해결책을 위한 전류 소모를 줄입니다. 게다가 안테나 디벨로퍼 시스템은 더 빨리 그들의 판넬 디자인을 가속화하기 위한 OEM이 5G 안테나 시스템을 구축하는 것을 쉽게 합니다.
5G mmWave 해결책은 더 높은 비트 전송률을 위해 소비자들에 대한 필요를 충족시키기 위해 일반적으로 더 높은 주파수와 대역폭이 웰-수이티드 밀집 도시 지역에서 배치됩니다. 그러나, 건물과 다른 장애물의 간섭도 하는 것처럼, 더 높은 주파수는 또한 mmWave 신호가 커버할 수 있는 거리를 감소시킵니다. 5G mmWave 배치에 공통이고 전체적인 시스템 신뢰도를 향상시킵니다 전파 손실을 완화하면서, 이중 분극 4 채널 아날로그 빔포머는 사용자들에게 동시 빔의 더 정확한 안내를 가능하게 합니다.
MMW9012K와 MMW9014K는 5G 인프라에서 모든 주요 전원 수준과 주파수를 걸쳐 이어지는 NXP의 현존하는 5G 포트폴리오를 보충합니다. MMW9012K가 28 기가헤르츠에 작동하는 반면에, MMW9014K는 26 기가헤르츠에 작동합니다. 이러한 장치는 9 데이터 베이스 관리 프로그램의 입을 삐죽거리기에 2.5%에 높은 전송을 제공하고, EVM과 획득을 받습니다.