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VIDEO 중국 플래시 메모리 IC 512K X 8 작동 온도-40°C ~ 85°C

플래시 메모리 IC 512K X 8 작동 온도-40°C ~ 85°C

패키지 / 건: SOIC-8
쓰기 주기 시간 - 페이지: 50µs
전압 - 공급: 2.7 Ｖ ~ 3.6 Ｖ
VIDEO 중국 2.7V-3.6V 플래시 메모리 IC -40°C ~ 85°C 운영 온도

2.7V-3.6V 플래시 메모리 IC -40°C ~ 85°C 운영 온도

패키징: 릴
기억 영역형: NOR 플래시
공급 전압 - 맥스: 3.6 Ｖ
VIDEO 중국 산업 자동화용 512K X 8 SOIC-8 스릴 패키지 칩

산업 자동화용 512K X 8 SOIC-8 스릴 패키지 칩

쓰기 주기 시간 - 단어: 50µs
공급 전압 - 맥스: 3.6 Ｖ
기억장치 용량: 4Mbit
VIDEO 중국 50μs 쓰기 사이클 시간 칩 빠른 페이지 및 워드 쓰기 성능

50μs 쓰기 사이클 시간 칩 빠른 페이지 및 워드 쓰기 성능

데이터 유지: 20년
패키징: 릴
패키지 / 건: SOIC-8
중국 DS1270Y-70IND# NVSRAM 메모리용 IC 16Mb

DS1270Y-70IND# NVSRAM 메모리용 IC 16Mb

모델: DS1270Y-70IND#
메모리 용량: 16Mb (2M x 8)
엑세스 시간: 70 나노 초
중국 MAX6495ATT+T 과전압 보호 제어기 6-tdfn

MAX6495ATT+T 과전압 보호 제어기 6-tdfn

모델: MAX6495ATT+T
타입: 과전압 보호 제어기
애플리케이션: 자동차
중국 LTM2889IY-3#PBF는 송수신기 32-bga를 분리했습니다

LTM2889IY-3#PBF는 송수신기 32-bga를 분리했습니다

모델: LTM2889IY-3#PBF
타입: 분리되는 송수신기
애플리케이션: 자동차
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