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CY62167EV30LL-45BVXI 집적 회로 IC 비동시성 메모리 IC 16Mbit
| 원래 장소 | 미국 |
|---|---|
| 브랜드 이름 | Infineon Technologies |
| 인증 | RoHS |
| 모델 번호 | CY62167EV30LL-45BVXI |
| 최소 주문 수량 | 10 |
| 가격 | negotiation |
| 포장 세부 사항 | 쟁반 |
| 배달 시간 | 5-8 작업 일수 |
| 지불 조건 | 전신환 |
| 공급 능력 | 2000 |
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x제품 상세 정보
| 모델 | CY62167EV30LL-45BVXI | 기술 | SRAM - 비동시적입니다 |
|---|---|---|---|
| 메모리 용량 | 16Mbit | 전압 - 공급 | 2.2V ~ 3.6V |
| 하이 라이트 | CY62167EV30LL-45BVXI 집적 회로 IC,CY62167EV30LL-45BVXI 메모리용 IC,비동시적 메모리용 IC 16Mbit |
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제품 설명
CY62167EV30LL-45BVXI 비동시성 메모리 IC 16Mbit 대비 45 Ns 48-vfbga (6x8)
CY62167EV30은 8비트의 16개 비트 또는 2M 말까지 1M 말로 구성된 고성능 CMOS 스태틱 램입니다. 이 장치는 극저 유효 전류를 제공하는 진보적 회로 설계를 특징으로 합니다. 극저 유효 전류는 휴대폰과 같은 휴대용 애플리케이션에서 더 많은 배터리 수명 (MoBL®)을 제공해서 이상적입니다. 기기는 또한 연설이 토글링하고 있지 않을 때 99 퍼센트까지 소비 전력을 줄이는 자동 전원을 내림 기능을 가지고 있습니다. 제외되 (CE1 높은 것 또는 CE2 최저 또는 양쪽 BHE와 BLE이 높은 것입니다) 때 장치를 대기 모드에 위치시키세요. 입력과 출력 핀은 (나 / O0 에서 I / O15) 고-임피던스 상태에 위치합니다 안에 다음과 같은 경우 : 장치는 선택해제됩니다 (CE1 최고 또는 CE2 최저), 출력이 무력하게 됩니다 (높이 실행과 바이트 최저가 가능하게 하는 둘다 바이트인 OE 최고가) 무력하게 되 (BHE, BLE 최고) 또는 기록 작업이 진행 중에 CE2 최고와 WE 최저인 (CE1 최저입니다).
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범주
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집적 회로 (ICs)
메모리
메모리
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엠에프르
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인피니언 테크놀러지
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시리즈
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MoBL®
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제품 상태
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활동가
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기억 영역형
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휘발성 물질
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메모리 포맷
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SRAM
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기술
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SRAM - 비동시적입니다
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메모리 용량
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16Mbit
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메모리구성
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2M Ｘ 8, 1M Ｘ 16
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기억기접합
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대비
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페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다
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45 나노 초
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엑세스 시간
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45 나노 초
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전압 - 공급
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2.2V ~ 3.6V
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작동 온도
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-40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TA)
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증가하는 타입
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표면 부착
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패키지 / 건
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48-vfbga
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공급자 소자 패키지
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48-vfbga (6x8)
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원형
우리의 회사는 제품의 각각 뱃치가 원래 공장에서 발생한다는 것을 보증하고, 원본 라벨과 전문적 검사 기관 보고서를 제공할 수 있습니다.
프라이스
우리는 협상 뒤에 다양한 인용 채널을 제공하고, 명령 계약을 맺습니다.
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